大家好，来(lái)看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guā比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁n)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

未经允许不得转载：MP3i音乐网址大全-MP3下载,网址导航,音乐在线试听,中国音乐网址导航第一站 比玉皇大帝还大的是谁，比玉皇大帝还厉害的是谁